При прохождении электрического тока в различных областях биполярного транзистора протекают следующие процессы:

1. В эмиттере прямое смещение эмиттерного перехода вызывает инжекцию неосновных носителей в смежные области. 1 Так как концентрация электронов в n+-области эмиттера всегда заметно превышает концентрацию основных носителей базы — дырок, то в первом приближении можно рассматривать только одностороннюю инжекцию электронов из эмиттера в базу. 1
2. В базе инжектированные электроны движутся в базе к коллекторному переходу за счёт диффузии, их концентрация постепенно уменьшается за счёт рекомбинации. 1
3. В области базы происходит процесс рекомбинации — небольшая часть инжектируемых носителей захватывается основными носителями базы — дырками, образуя ток базы Iб. 2 В процессе рекомбинации электроны переходят в валентную зону дырки, исчезает пара носителей заряда. 2
4. Основная часть электронов пересекает тонкую область базы, достигает коллекторного перехода и попадает в область коллектора — происходит экстракция носителей. 2
5. За счёт электрического поля обратно смещённого перехода база-коллектор прошедшие через базу электроны втягиваются в коллекторную область, то есть происходит их экстракция, и возникает ток коллектора. 1