В чём разница между режимами насыщения и отсечки биполярного транзистора?

Разница между режимами насыщения и отсечки биполярного транзистора заключается в состоянии переходов: habr.com www.radioelementy.ru

• Режим насыщения: оба перехода открыты. habr.com Основные носители заряда коллектора и эмиттера «бегут» в базу, где активно рекомбинируют с её основными носителями. habr.com Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n переходов уменьшается. habr.com Цепь с транзистором в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой. habr.com
• Режим отсечки: оба перехода транзистора закрыты. habr.com Ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. habr.com Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. habr.com Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. habr.com Часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи. habr.com

Таким образом, в режиме насыщения транзистор полностью открыт, а в режиме отсечки — полностью закрыт. otvet.mail.ru