Диффузионная технология влияет на структуру биполярного транзистора следующим образом:

• Концентрация примеси в базе получается более высокой у эмиттера, что снижает омическое сопротивление базы. 1
• Концентрация примеси более низкая у коллекторного перехода, что уменьшает его ёмкость. 1 Одновременно повышается пробивное напряжение коллектора. 1
• Эмиттерный переход получается резко несимметричным, поскольку обедненная зона располагается, в основном, в базе. 5 Диффузия носителей становится односторонней, так как резко уменьшается встречный поток электронов из базы в эмиттер, что также уменьшает интенсивность процессов рекомбинации дырок в базе. 5

Для изготовления транзистора по диффузионной технологии полупроводник нагревают до температуры, близкой к точке плавления, и помещают его в атмосферу нейтрального газа, содержащую пары примеси, предназначенной для формирования эмиттера и коллектора. 2