Разница между полевыми транзисторами с управляющим p-n-переходом и МДП-транзисторами заключается в конструкции затвора и принципе работы. 24

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом представляют собой пластину полупроводника n- или р-типа, на гранях которой созданы области противоположного типа электропроводности, на границах между которыми образованы р-n-переходы. 4 Часть объёма пластины полупроводника, расположенная между р-n-переходами, является активной частью транзистора — каналом. 4

МДП-транзисторы — это полевые транзисторы, затвор которых электрически изолирован от канала слоем диэлектрика. 5 Так как в МДП-транзисторах затвор изолирован от полупроводника плёнкой диэлектрика, то эти транзисторы могут работать как при положительном, так и при отрицательном напряжении. 4