Как устроена технология энергонезависимой памяти EEPROM?

Технология энергонезависимой памяти EEPROM основана на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры. ru.wikipedia.org

Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала. ru.wikipedia.org Это нужно, чтобы напряжённость электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. ru.wikipedia.org

Для усиления эффекта туннелирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путём пропускания тока через канал полевого транзистора. ru.wikipedia.org

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет функцию затвора. ru.wikipedia.org Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения. ru.wikipedia.org

Основная особенность классической ячейки EEPROM — наличие второго транзистора, который помогает управлять режимами записи и стирания. ru.wikipedia.org

Конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек. ru.wikipedia.org Соединение выполняется в виде двумерной матрицы, в которой на пересечении столбцов и строк находится одна ячейка. ru.wikipedia.org

EEPROM предназначена для сохранения данных, которые не должны изменяться после отключения напряжения питания. cxem.net