В чем разница между DRAM и SOC напряжением в оперативной памяти?

Разница между DRAM и SOC напряжением в оперативной памяти заключается в их назначении и диапазонах значений.

DRAM Voltage — главный показатель напряжения оперативной памяти. boiling-machine.ru Для разных типов памяти характерны следующие нормальные и пиковые значения: boiling-machine.ru

• DDR3: норма — 1,5 В, пик — 1,8 В; boiling-machine.ru
• DDR4: норма — 1,2 В, пик — 1,45 В; boiling-machine.ru
• DDR5: норма — 1,1 В, пик — 1,35 В. boiling-machine.ru

SOC Voltage — напряжение контроллера памяти. boiling-machine.ru www.overclockers.ua У разных производителей оно называется по-разному: boiling-machine.ru

• Intel: VCCSA и VCCIO; boiling-machine.ru
• AMD: VCORE SOC; boiling-machine.ru
• Asus: VDDCR SOC; boiling-machine.ru
• Gigabyte: Dynamic Vcore SOC; boiling-machine.ru
• Asrock: VID; boiling-machine.ru
• MSI: CPU NB/SOC. boiling-machine.ru

Для памяти DDR4 рекомендуется проводить разгон в пределах 1,35–1,45 В DRAM и 1,05–1,1 В SOC. boiling-machine.ru