Некоторые преимущества p-i-n-диодов перед обычными p-n-диодами:

• Меньшая барьерная ёмкость. 1 Она слабо зависит от напряжения, что важно для переключательных диодов, так как изменение ёмкости с напряжением может вызвать дополнительные частотные искажения полезного сигнала. 1
• Высокое пробивное напряжение. 1 Оно достигает нескольких сотен вольт, что существенно превышает пробивное напряжение диодов с обычным p-n-переходом и с таким же уровнем легирования прилегающих областей. 1
• Регулируемая проводимость на частоте сигнала. 3 Это свойство позволяет использовать p-i-n-диоды для коммутации ВЧ и СВЧ сигналов. 3
• Чувствительность к фотонам. 2 Встроенный слой чувствителен к фотонам, поэтому такие диоды используют в качестве фотодетекторов. 2