В чем заключаются преимущества нитрида галлия по сравнению с арсенидом галлия в высокомощных транзисторах?

Некоторые преимущества нитрида галлия (GaN) перед арсенидом галлия (GaAs) в высокомощных транзисторах:

• Большая ширина запрещённой зоны. www.rlocman.ru niiet.ru У GaN она составляет 3,39 эВ, что втрое больше, чем у кремния, и более чем в два раза — чем у GaAs. niiet.ru Это влияет на рабочий температурный диапазон транзистора: чем больше ширина запрещённой зоны, тем при больших температурах транзистор способен сохранять свои параметры. www.rlocman.ru
• Высокая критическая напряжённость поля. www.rlocman.ru niiet.ru У GaN она составляет порядка 3,0–3,5 МВ/см, что превышает соответствующий параметр кремния на порядок. niiet.ru Это определяет предельное напряжение, которое может быть приложено к транзистору: при использовании материала с более высоким значением данного параметра прибор с теми же габаритами может управлять большим напряжением. www.rlocman.ru
• Большая дрейфовая скорость насыщения электронов. niiet.ru По этому параметру GaN превосходит кремний в 2–3 раза и примерно на 30% — GaAs. niiet.ru
• Высокая удельная мощность. habr.com Это позволяет упростить топологию интегральных схем усилителя мощности, повысить эффективность, уменьшить массу и улучшить габаритные параметры. habr.com
• Работоспособность при высоких температурах. habr.com При одинаковых размерах конструкций и рабочих частотах СВЧ-транзисторы на GaN могут обеспечивать мощности примерно в сто раз выше, чем транзисторы на GaAs, и сохраняют работоспособность при температурах 400–500 °С. habr.com