Некоторые ключевые различия между полевыми транзисторами с изолированным затвором и с управляющим p-n-переходом:

Конструкция: 1

• Транзисторы с управляющим p-n-переходом представляют собой удлинённый полупроводниковый кристалл, противоположные концы которого с металлическими выводами играют роль стока и истока. 1 Функцию затвора исполняет небольшая область с обратной проводимостью, внедрённая в центральную часть кристалла. 1
• Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы) имеют полупроводниковый кристалл в роли подложки, в которую на некотором удалении друг от друга внедрены две области с обратной проводимостью — исток и сток. 1 Функцию затвора исполняет металлический вывод, который отделяется от кристалла слоем диэлектрика и, таким образом, электрически с ним не контактирует. 1

Входное сопротивление: 2

• Транзисторы с управляющим p-n-переходом имеют более низкое входное сопротивление (до 1011 Ом при комнатной температуре). 2
• Транзисторы с изолированным затвором обладают более высоким входным сопротивлением (RBX > 1014 Ом, иногда до 1017 Ом). 2

Принцип работы: 1

• Транзисторы с управляющим p-n-переходом управляют потоком основных носителей с помощью выпрямляющего электрического перехода, смещённого в обратном направлении. 3 При изменении обратного напряжения на управляющем переходе изменяется сопротивление проводящего канала, поэтому такой транзистор представляет собой резистор, управляемый напряжением на затворе. 3
• Транзисторы с изолированным затвором могут работать как при положительном, так и при отрицательном напряжении, так как затвор изолирован от полупроводника плёнкой диэлектрика. 2