Технология ионной имплантации в микроэлектронике заключается в изменении электрических характеристик кремниевых или других полупроводниковых пластин. 1

Процесс включает в себя образование пучка ионов легирующего элемента, их ускорение и внедрение в поверхность полупроводниковой пластины. 1 По мере прохождения пути от ионного источника до поверхности пластины ионы могут приобрести дополнительную энергию или, наоборот, потерять часть энергии. 1 Это происходит благодаря переменным высокочастотным или постоянным электрическим полям. 1

Некоторые применения технологии ионной имплантации в микроэлектронике:

• Легирование полупроводниковых пластин. 1 Это требуется для получения полупроводников p и n-типов, которые используются в создании транзисторов. 1
• Создание структур типа «кремний на изоляторе». 1 В обычную кремниевую пластину имплантируют большие дозы атомов кислорода. 1 После отжига пластины образуется слой оксида кремния, который и служит изолятором. 1
• Создание магнитных нанокластеров и силицидов металлов. 1 Композиционные материалы на основе магнитных нанокластеров находят применение при разработке новых элементов хранения информации. 1
• Мезотаксия. 1 В этом процессе рост гетероструктуры происходит с поверхности внутрь полупроводника, путём имплантации ионов и выбора нужной температуры. 12