Сущность ионной имплантации при легировании заключается во внедрении легирующего элемента в кристаллическую решётку легируемого вещества. 1

Для этого на поверхность твёрдого сплава направляют поток ионов легирующего элемента, ускоренных до энергии 5–40 кэВ, а также поток нейтральных частиц. 1

В результате легирования получается новый упрочненный поверхностный слой, состоящий из легирующих веществ, с плавным изменением свойств по глубине. 1

Процесс ионной имплантации заключается в ионизации и ускорении до больших скоростей атомов элемента, используемого в качестве имплантируемой примеси. 3 Ускоренные атомы внедряются в решётку подложки под действием своей кинетической энергии (импульса). 3 После торможения и установления равновесного состояния атом может занять такое положение в решётке, при котором он изменяет электронные свойства кристалла, то есть выполняет функцию легирующей примеси. 3