Принцип работы полупроводникового инжекционного лазера заключается в генерации когерентного излучения в результате рекомбинации электронов и дырок в области p-n перехода при протекании прямого тока. 3

Состояние инверсной населённости создаётся интенсивной накачкой, и при наличии обратной связи, осуществляемой с помощью оптического резонатора, генерируется излучение. 1