В чем разница между технологией IGBT и MOSFET в инверторных сварочных аппаратах?

Разница между технологиями IGBT и MOSFET в инверторных сварочных аппаратах заключается в используемых транзисторах, которые отличаются током коммутации. www.vseinstrumenti.ru

Транзисторы IGBT обладают большим током. svarka59.ru Для изготовления стандартного инвертора понадобится 2–4 IGBT транзистора (в зависимости от рабочего цикла), а MOSFET — 10–12, так как они не могут пропускать через себя большие токи. svarka59.ru

Транзисторы MOSFET, по сравнению с IGBT, имеют большие вес и габариты и стоят дешевле, однако их необходимо, соответственно, и большее количество. www.vseinstrumenti.ru

Ещё одно преимущество технологии IGBT — возможность работы на более высоких частотах (60–85 кГц), что уменьшает вес инвертора. www.vseinstrumenti.ru Значение температуры, при которой включается термозащита, у IGBT также намного выше (она составляет около 90 °С против 60 °С у MOSFET), а это напрямую влияет на продолжительность непрерывной работы аппарата. www.vseinstrumenti.ru

У аппаратов на основе MOSFET есть одно преимущество по сравнению с IGBT — они проще в ремонте, если тот производится за пределами авторизованного сервис-центра. www.elec.ru