В чем разница между силовыми модулями на MOSFET и других типах транзисторов?

Возможно, имелись в виду силовые модули на MOSFET и IGBT-транзисторах. radioskot.ru electrik.info Некоторые различия между ними:

• Рабочее напряжение. kit-e.ru MOSFET в основном ориентированы на устройства с напряжением ниже 250 В, в то время как IGBT предназначены для приборов с напряжением пробоя свыше 1000 В. kit-e.ru
• Потери. kit-e.ru electrik.info У MOSFET сопротивление канала в проводящем состоянии обуславливает определённые потери мощности, которые почти в 4 раза превосходят мощность, затрачиваемую на управление затвором. electrik.info У IGBT, наоборот, потери на переходе меньше, а затраты энергии на управление — больше. electrik.info
• Рассеиваемая мощность. electrik.info Площадь полупроводниковой IGBT-структуры больше, чем у MOSFET, поэтому и рассеиваемая мощность у IGBT больше. electrik.info
• Применение. electrik.info MOSFET подходят для работы на частотах выше 20 кГц при напряжениях питания до 300 В — зарядные устройства, импульсные блоки питания, компактные инверторы небольшой мощности и т. д.. electrik.info IGBT используют для управления высокими силами тока и высокой напряжённости, а также в схемах, где необходимо большое сопротивление и управляемость. electrik.info

Выбор между MOSFET и IGBT зависит от конкретных потребностей приложения. electrik.info Если необходимо высокое сопротивление и скорость переключения, то лучше выбрать MOSFET-транзисторы, если же необходимо управление высокой силой тока и напряжением — IGBT-транзисторы. electrik.info