В чём разница между Samsung B-Die и другими типами оперативной памяти DDR4?

Возможно, имелись в виду различия между чипами Samsung B-Die и некоторыми другими типами оперативной памяти DDR4, например C-die, D-die, E-die. dzen.ru club.dns-shop.ru

Samsung B-Die — основной степпинг компании, который выполнялся на техпроцессе 20 нм. club.dns-shop.ru Имелся сильный разброс по качеству: B-die мог как с трудом разгоняться до 3600 МГц, так и спокойно работать на 4800 МГц. club.dns-shop.ru Главной отличительной особенностью B-Die называли низкие задержки работы памяти. www.goha.ru

C-die чаще всего встречались в бюджетных модулях памяти, были изготовлены по технологическому процессу 18 нм. dzen.ru Такие микросхемы не считались ценными в высокопроизводительных системах. dzen.ru

D-die иногда превосходили топовые B-die в плане возможности разгона: такие модули были способны достичь частоты 4300–4400 МГц при таймингах CL17. dzen.ru

E-die задумывались как замена средне-качественных B-die в более доступных модулях памяти. dzen.ru Совместно с поддерживающей разгон платформой, эти чипы были способны достичь максимальных частот в диапазоне 3400–3800 МГц с таймингами CL18 и напряжением 1,4 Вольта. dzen.ru

Также существовали другие типы оперативной памяти, например Micron Rev. E, которые предлагали разную производительность и цену. www.goha.ru Модули на основе Micron Rev. E были бюджетными, но имели высокий разгонный потенциал на процессорах Intel. www.goha.ru