Разница между полупроводниковыми и гибридными микросхемами заключается в технологии изготовления:

1. Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия или арсенида галлия). 57 Полупроводниковые микросхемы имеют наиболее высокую плотность упаковки элементов (сотни тысяч на см³) и позволяют получить максимальную надёжность, так как количество соединений в них сведено к минимуму. 2
2. Гибридная микросхема — это микросхема, пассивные элементы которой (резисторы, конденсаторы и индуктивности) выполнены в виде плёнок (толстых или тонких), а активные (бескорпусные диоды, транзисторы и кристаллы микросхем) элементы — навесные. 3 Гибридные микросхемы обеспечивают плотность упаковки до 150 элементов/см³. 2