В чем разница между микросхемами Flash памяти и DRAM?
Разница между микросхемами Flash-памяти и DRAM заключается в их характеристиках и функциях.
Flash-память (англ. flash memory) — энергонезависимая перезаписываемая память, которая может сохранять данные даже после отключения питания. 14 Флеш-память состоит из множества ячеек, организованных в блоки. 1 Каждая ячейка может хранить один или несколько битов информации в зависимости от типа памяти: 1
- SLC (Single-Level Cell) — хранит 1 бит (0 или 1). 1
- MLC (Multi-Level Cell) — хранит 2 бита (4 возможных состояния). 1
- TLC (Triple-Level Cell) — хранит 3 бита (8 состояний). 1
- QLC (Quad-Level Cell) — хранит 4 бита (16 состояний). 1
Чем больше бит хранит ячейка, тем выше плотность данных, но ниже скорость и долговечность. 1 Флеш-память используется в USB-накопителях, SSD-дисках, картах памяти и многих других устройствах. 1
DRAM (англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом) — тип компьютерной памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти. 25 Каждая ячейка такой памяти имеет свойство разряжаться, поэтому их постоянно надо подзаряжать — отсюда название «динамическая». 25 Чтение и запись выполняются построчно; обмен данными с отдельно взятой ячейкой невозможен. 2
Таким образом, Flash-память предназначена для длительного хранения данных, а DRAM — для временного хранения информации, возникающей в процессе функционирования устройства. 6
