В чем разница между маркировкой NAND-памяти Hynix и Samsung?

Возможно, имелись в виду различия в ассортименте и характеристиках NAND-памяти Hynix и Samsung.

Samsung выпускает более широкий спектр изделий, чем Hynix. www.gaw.ru Компания производит модули ёмкостью от 4 Мбит до 8 Гбит, которые работают в коммерческом и индустриальном температурных диапазонах. www.gaw.ru Доступны 8- и 16-разрядные модификации на разные диапазоны питающих напряжений: 1,65–1,95 В или 2,7–3,6 В. www.gaw.ru Изделия Samsung имеют развитые аппаратные возможности защиты данных: защиту от записи для BootRAM, защитный режим для Flash-массива и защиту от случайной записи при включении и выключении. www.gaw.ru

Hynix, в свою очередь, в 2024 году сообщил, что стал первым чипмейкером, серийно выпускающим флеш-память NAND с трехуровневыми ячейками (TLC), содержащую более 300 слоёв. www.ferra.ru По сравнению с 238-слойным предшественником, чип на 12% увеличивает скорость передачи данных и на 13% — производительность чтения. www.ferra.ru Энергопотребление тоже снижено более чем на 10%. www.ferra.ru

При этом устройство микросхем памяти Hynix и изделий семейства NAND Flash от Samsung практически идентично. www.gaw.ru