Основные различия между твердотельными накопителями на базе флэш-памяти и технологией 3D XPoint:
- Физический принцип энергонезависимого хранения информации. 1 В флеш-памяти NAND используется электрическое поле изолированного (плавающего) затвора, благодаря которому транзистор способен сохранять электрический заряд даже при отсутствии внешнего питания. 1 В 3D XPoint для представления двоичных значений используются бинарные химические соединения халькогенов в аморфном (значение «0») и кристаллическом (значение «1») состояниях. 2
- Структура ячейки памяти. 1 Ячейка памяти 3D XPoint устроена проще, чем у флеш-памяти NAND, она не содержит сложных полевых транзисторов. 1 Вместо них используется пара из селектора и халькогенида, которая подключается к перпендикулярно пересекающимся проводникам. 1
- Чтение и запись информации. 1 3D XPoint даёт возможность непосредственного доступа к одной ячейке памяти (одному биту информации), не затрагивая при этом другие. 1 У флеш-памяти NAND ввиду технических особенностей построения массива памяти такая возможность не реализована: стирание информации производится поблочно, а запись новой информации — постранично. 1
Таким образом, 3D XPoint потенциально быстрее флеш-памяти и более долговечна. 4