В чём преимущества технологии GAAFET перед традиционными транзисторами?

Некоторые преимущества технологии GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) перед традиционными транзисторами:

• Улучшенный электростатический контроль. dzen.ru В конструкции GAAFET затвор окружает канал со всех четырёх сторон, что позволяет лучше контролировать характеристики канала. dzen.ru elwo.ru
• Снижение паразитных утечек. dzen.ru По сравнению с FinFET-структурами, где затвор охватывает канал с трёх сторон, в GAAFET этот показатель снижается на 22%. dzen.ru
• Увеличение скорости переключения. dzen.ru Скорость переключения транзисторов GAAFET достигает 0,8 пс. dzen.ru
• Высокая плотность тока. dzen.ru В 2D-транзисторах GAAFET плотность тока достигает 1,5 МА/см², что втрое выше, чем у лучших кремниевых аналогов Intel. dzen.ru
• Использование двухмерных материалов. unirec.ru В отличие от кремния, который теряет свои свойства на масштабах менее 10 нм, двумерные материалы, такие как оксиселенид висмута (Bi₂O₂Se), сохраняют гибкость и стабильность даже на наноуровне. overclockers.ru