В чем преимущества карбида кремния перед традиционным кремнием в силовой электронике?

Некоторые преимущества карбида кремния (SiC) перед традиционным кремнием в силовой электронике:

• Более высокие пробивные напряжения для транзисторов и диодов, а также более низкое сопротивление канала для транзисторов. energomodul.ru
• Высокие плотности тока как для транзисторов, так и для диодов, вплоть до 5·103 А/см². energomodul.ru
• Сравнительно малые габариты кристаллов благодаря малому удельному сопротивлению в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью. energomodul.ru
• Малые токи утечки. energomodul.ru
• Высокие допустимые рабочие температуры. energomodul.ru Например, рабочая температура полупроводников SiC составляет до 200 °C, в то время как у кремния — 150 °C. habr.com
• Высокая предельная скорость носителей тока в материале, что позволяет повысить частотный потенциал приборов по сравнению с кремниевыми. energomodul.ru
• Стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени. energomodul.ru
• Экологические преимущества: повышая энергоэффективность, SiC способствует снижению выбросов углекислого газа и энергопотребления в различных отраслях промышленности. ru.kindle-tech.com