Некоторые преимущества использования JFET (полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом) перед биполярными транзисторами:

• Высокое входное сопротивление. 23 Благодаря этому JFET практически не потребляют ток у источников сигнала, который нужно усилить. 2
• Низкий уровень шума. 14 JFET подходят для высокоточных приложений, где важно сохранение качества сигнала. 1
• Низкое энергопотребление. 1 JFET могут потреблять меньше энергии, что позволяет использовать их в устройствах с батарейным питанием. 1
• Простота смещения. 1 Обычно создать кривую смещения в JFET проще, чем в биполярных транзисторах, что помогает уменьшить количество внешних компонентов, необходимых для функциональности устройства. 1
• Линейный режим работы. 1 JFET функционируют с атрибутами линейной области, что делает их подходящими для некоторых аналоговых приложений. 1
• Отличные частотные свойства. 3 В JFET отсутствуют неосновные носители, что исключает процесс рассасывания неосновных носителей, который заметно ухудшает частотные свойства биполярных транзисторов. 3