Некоторые преимущества использования арсенида галлия (GaAs) в современных биполярных транзисторах:

• Высокая подвижность электронов. 13 Это позволяет транзисторам на основе GaAs функционировать на частотах, превышающих 250 ГГц. 2
• Низкие шумовые характеристики. 1 Полупроводник создаёт меньше помех в электрическом сигнале, чем кремниевые устройства, особенно на высоких частотах. 2
• Возможность выдерживать большую мощность по сравнению с кремнием. 1 Это происходит из-за большей напряжённости электрического поля пробоя. 1
• Низкая чувствительность к воздействиям радиационного излучения. 1 Эти свойства позволяют минимизировать вероятность ошибок и поломок, сделать технику более надёжной, предсказуемой и долговечной. 1