В чем преимущества и недостатки SiC-диодов Шоттки по сравнению с традиционными кремниевыми диодами?

Некоторые преимущества SiC-диодов Шоттки перед традиционными кремниевыми диодами:

• Повышенное максимально допустимое обратное напряжение. macrogroup.ru SiC-диоды Шоттки применяются в более высоковольтных цепях. ru.wikipedia.org
• Лучшие динамические свойства. macrogroup.ru Отсутствие неосновных носителей и большая подвижность основных носителей в карбиде кремния позволяют снизить потери в преобразователях. macrogroup.ru
• Положительный температурный коэффициент. macrogroup.ru Он предотвращает саморазогрев SiC-диода. macrogroup.ru
• Меньший заряд обратного восстановления. power-e.ru Это позволяет сократить потери на включение в транзисторных ключах для полумостовых схем или прерывателях, работающих в режиме непрерывной проводимости с жёстким переключением. power-e.ru

Некоторые недостатки SiC-диодов Шоттки:

• Относительно высокая стоимость. macrogroup.ru Однако применение таких диодов может снизить общую стоимость проекта за счёт увеличения суммарного КПД преобразователя и упрощения системы охлаждения. macrogroup.ru
• Меньшая устойчивость к импульсному воздействию. power-e.ru Это связано с большим падением напряжения в условиях импульсного воздействия высокого напряжения, которое может составлять всего 1–2 В для кремния, но способно достигать 4–6 В для SiC. power-e.ru
• Проблемы перегрева перехода. power-e.ru Поскольку площадь кристалла SiC-диода намного меньше, чем у его кремниевого собрата, это создаёт проблемы перегрева перехода. power-e.ru