Почему важно соблюдать разницу напряжений между VDD и VDDQ в модулях памяти?

Соблюдение разницы напряжений между VDD и VDDQ в модулях памяти важно по нескольким причинам:

• Повышение помехозащищённости. forums.overclockers.ru Питание микросхем двумя отдельно стабилизируемыми напряжениями (VDDQ и VDD) сделано с целью улучшения помехозащищённости. forums.overclockers.ru
• Улучшение стабильности. forums.overclockers.ru Чем больше разница между VDD и VDDQ, тем выше стабильность сигнала. forums.overclockers.ru

Для разных платформ существуют свои рекомендации по допустимой разнице напряжений: например, для AMD идеал — 100 мВ, для Intel — до 200 мВ. forums.overclockers.ru

Согласно спецификации, схема управления питанием на каждом модуле выдаёт напряжение 1,1 В для VDD (питание ядер памяти) и VDDQ (цепи ввода-вывода). vk.com Однако многие производители скоростной памяти завышают эти значения до 1,25–1,35 В для стабильной работы модулей на более высоких частотах. vk.com