Контроль уровня толщины базы в современных транзисторах важен по следующим причинам:

• Повышение скорости работы. 2 Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней, что уменьшает время прохождения электронов от эмиттера к коллектору. 2
• Увеличение коэффициента передачи тока. 13 При достаточно тонкой базе, когда потери дырок за счёт рекомбинации в базе малы, коэффициент передачи тока может доходить до 0,99 и более. 1
• Возможность использовать транзистор на высоких частотах. 1 Если база достаточно тонкая, изменение тока коллектора при изменении эмиттерного тока происходит с очень малой инерцией, что позволяет использовать транзистор не только на низких, но и на высоких частотах. 1