Технология нитрида галлия (GaN) популярна в современных зарядных устройствах по нескольким причинам:

• Высокая эффективность и меньшее выделение тепла. 1 GaN-транзисторы работают при более высоких напряжениях, частотах и температурах, что обеспечивает меньшую теплоотдачу. 1 Даже при высокой мощности адаптер греется гораздо меньше. 1
• Меньший размер. 1 Благодаря высокой эффективности и способности работать на более высоких частотах, GaN-транзисторы могут быть меньше по размеру, чем кремниевые. 1 Это позволяет производить более компактные зарядные устройства. 1
• Высокая мощность и скорость зарядки. 1 GaN-зарядки могут предложить большую мощность, чем их кремниевые аналоги, что делает их идеальными для быстрой зарядки. 1 Это особенно важно для ноутбуков и смартфонов. 1
• Энергоэффективность. 1 GaN-зарядки обладают более высоким КПД при преобразовании электрической энергии. 1 В долгосрочной перспективе это свойство может способствовать снижению затрат на электроэнергию. 1
• Устойчивость к высоким температурам. 1 GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 200 °C), чем кремниевые (до 125 °C), что делает их надёжнее в экстремальных условиях. 1
• Экологичность. 2 GaN-зарядки сберегают больше электроэнергии, компактнее при утилизации, а их производство выбрасывает в окружающую среду на треть меньше углекислого газа. 2