Технологический процесс Intel 10 нанометров считается прогрессивным по нескольким причинам:
Увеличение производительности транзисторов. 3dnews.ru Например, технология 10 нм SuperFin обеспечивает рост производительности транзисторов примерно на 17–18% по сравнению с предыдущей версией 10-нм техпроцесса. 3dnews.ru
Расширение диапазона тактовых частот и напряжений. 3dnews.ru Это позволяет использовать более высокие тактовые частоты при более низком напряжении питания и лучшей энергетической эффективности. vk.com
Снижение сопротивления межслойных проводников. 3dnews.ru Введение нового барьерного материала позволило сократить толщину изолирующего слоя и протяжённость межслойных проводников, что снизило их сопротивление примерно на 30% и нарастило скорость и точность передачи сигналов между металлическими слоями. 3dnews.ru
Оптимизация схем питания. 3dnews.ru Использование новых конденсаторов SuperMIM (металл — изолятор — металл) с пятикратным увеличением ёмкости по сравнению с ранее применяемыми конденсаторами без изменения занимаемой ими площади. 3dnews.ru
Улучшение стабильности полупроводникового устройства. vk.com Это достигнуто за счёт внедрения нового диэлектрика, который Intel внедрила впервые в отрасли, и который превосходит все имеющиеся техпроцессы других производителей. vk.com
Примеры полезных ответов Поиска с Алисой на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Поиску с Алисой.