Почему SiC-устройства эффективнее традиционных кремниевых элементов?

Некоторые причины, по которым SiC-устройства эффективнее традиционных кремниевых элементов:

• Более высокая эффективность. www.silicon-carbides.com SiC-устройства имеют меньшие потери проводимости и переключения, что приводит к значительной экономии энергии, снижению требований к охлаждению и уменьшению размеров системы. www.silicon-carbides.com
• Работа при более высоких температурах. www.silicon-carbides.com Теплопроводность SiC примерно в три раза выше, чем у кремния. www.silicon-carbides.com Это позволяет устройствам на основе SiC более эффективно рассеивать тепло и работать при более высоких температурах. www.silicon-carbides.com
• Более высокие рейтинги напряжения. www.silicon-carbides.com SiC-устройства могут обрабатывать более высокие напряжения, чем их кремниевые аналоги. www.silicon-carbides.com Это позволяет разрабатывать высоковольтные энергосистемы с меньшим количеством компонентов и уменьшать сложность системы. www.silicon-carbides.com
• Более быстрая скорость переключения. www.silicon-carbides.com Широкая запрещённая зона SiC обеспечивает более быстрые скорости переключения и снижение потерь переключения по сравнению с устройствами на основе кремния. www.silicon-carbides.com Это приводит к повышению общей эффективности системы, особенно в высокочастотных приложениях. www.silicon-carbides.com
• Стабильные характеристики при высоких температурах. www.compel.ru Например, сопротивление канала у MOSFET на базе SiC растёт с повышением температуры гораздо медленнее, чем у кремниевых аналогов. www.compel.ru Это упрощает проектирование охлаждения и повышает надёжность в тяжёлых условиях эксплуатации. www.compel.ru