Некоторые причины пробоя ключевого транзистора в импульсных источниках питания:

• Превышение амплитуды управляющих импульсов напряжения пробоя затвора. 1 Это возможно, если питание драйвера не стабилизировано. 1
• Паразитная генерация в контуре «ёмкость затвора» — «индуктивность цепи управления». 1 Причины: отсутствие или малая величина сопротивления затворных резисторов, слишком длинная цепь управления с большой паразитной индуктивностью и высокие скорости переключения. 1
• Наводка в цепи управления. 1 Возникает из-за индуктивной (трансформаторной) связи между слишком длинной и широкой петлёй управления и слишком близкорасположенным и слишком быстрым и сильноточным силовым контуром. 1
• Слишком быстрый рост напряжения на стоке (коллекторе). 1 Вызывает существенный ток через переходную ёмкость сток-затвор и рост напряжения на затворе. 1
• Статическое электричество. 1 Обычно возникает при монтаже схемы. 1
• Увеличение импеданса цепи управления. 1

Также пробой транзистора может произойти из-за неисправности входного электролитического конденсатора, который теряет ёмкость. 2 В этом случае возрастает нагрузка на входной мост, в цепь вовлекаются другие элементы, и в ключе возникают резонансные явления. 2

Для безопасной работы импульсных источников питания важно, чтобы были установлены чёткие ограничения по предельному току, так как его увеличение приводит к росту мощности рассеяния, перегреву и последующему разрушению кристаллов. 4