Почему происходит износ NAND-памяти во флеш-накопителях?

Некоторые причины износа NAND-памяти во флеш-накопителях:

• Ограниченное количество циклов записи/стирания. habr.com dzen.ru Для каждого типа флеш-памяти есть определённое число циклов перезаписи, после которого ячейки могут искажать информацию или отказывать. club.dns-shop.ru
• Истончение слоя оксида. www.outsidethebox.ms dzen.ru Электрическая активность изнашивает физическую структуру ячейки, уменьшая микроскопический слой оксида. www.outsidethebox.ms Когда он истончается, электроны могут в нём застревать, накапливая отрицательный заряд. www.outsidethebox.ms
• Отсутствие возможности индивидуально контролировать заряд плавающего затвора в каждой ячейке. habr.com Поскольку запись и стирание производится над целыми группами ячеек одновременно, автомат записи контролирует пороговые значения инжекции зарядов по референсным ячейкам или по средней величине. habr.com
• Взаимная диффузия атомов. habr.com Этот процесс ускоряется градиентом электрического поля в области кармана и периодическими электрическими пробоями изолятора при записи и стирании. habr.com В результате происходит размывание границ и ухудшение уровня изоляции, что приводит к уменьшению времени хранения заряда. habr.com

Ускорить износ NAND-памяти могут длительное нахождение ячеек в отключённом состоянии, повышенная температура, увеличение битности на каждую ячейку, уменьшение техпроцесса, уменьшение изолирующего слоя. habr.com