Почему нитрид галлия считается перспективным материалом для создания военной электроники?

Нитрид галлия (GaN) считается перспективным материалом для создания военной электроники по нескольким причинам:

• Способность работать при высоких напряжениях. www.securitylab.ru Приборы на основе GaN могут функционировать при напряжениях, которые в несколько раз превышают предельные значения для кремния, не рискуя выйти из строя из-за электрического пробоя. www.securitylab.ru
• Стабильность при высоких температурах. www.securitylab.ru Устройства на основе GaN сохраняют работоспособность при температурах до 400 °C, в то время как обычные кремниевые чипы давно бы перестали функционировать. www.securitylab.ru
• Высокая подвижность электронов. www.securitylab.ru Это свойство позволяет создавать устройства для работы на частотах в десятки гигагерц. www.securitylab.ru Такая характеристика критически важна для современных радиолокационных систем, систем радиоэлектронной борьбы и сетей связи последнего поколения. www.securitylab.ru
• Устойчивость к ионизирующему излучению. ru.wikipedia.org Это свойство делает GaN перспективным для создания длительно работающих солнечных батарей космических аппаратов. ru.wikipedia.org

В частности, на основе GaN разрабатывают твердотельные приёмопередающие модули активной фазированной антенной решётки (АФАР) для военной электроники. ru.wikipedia.org ru.ruwiki.ru