MOSFET-транзистор считается более предпочтительным выбором для силовых схем по сравнению с биполярным транзистором по следующим причинам:

• Высокое входное сопротивление. 1 Благодаря изолированному затвору MOSFET потребляет минимальный ток управления. 1
• Малое сопротивление открытого канала. 1 Современные мощные MOSFET имеют низкое сопротивление в состоянии проводимости, что снижает потери энергии. 1
• Высокая скорость переключения. 14 Благодаря небольшим зарядам затвора, эти транзисторы способны работать на высоких частотах. 1
• Низкий уровень тепловыделения. 1 Из-за низких потерь мощности MOSFET эффективнее в силовых схемах. 1
• Простота управления. 1 В отличие от биполярных транзисторов, для управления MOSFET не требуется значительный ток, достаточно только напряжения. 1