Компактные зарядные устройства на основе нитрида галлия (GaN) становятся стандартом в отрасли по нескольким причинам:

• Высокая эффективность и быстрая зарядка. 1 GaN-транзисторы могут переключать мощность на более высоких частотах с минимальными потерями энергии. 1 Это делает такие устройства идеальными для быстрой зарядки смартфонов, ноутбуков и других устройств с высокой мощностью. 1
• Компактный и лёгкий дизайн. 1 GaN-транзисторы работают на более высоких частотах, что позволяет использовать более мелкие индуктивности и конденсаторы. 1 Это уменьшает общий размер зарядного устройства. 1
• Снижение тепловыделения. 1 Даже при высокой мощности GaN-адаптер греется гораздо меньше. 2 Это обеспечивает стабильные скорости зарядки без теплового дросселирования. 1
• Повышенная долговечность и срок службы. 1 Поскольку зарядные устройства GaN работают более эффективно и выделяют меньше тепла, они, как правило, имеют более длительный срок службы по сравнению с традиционными зарядными устройствами. 1
• Экологические преимущества. 1 Эффективность и долговечность зарядных устройств GaN способствуют экологической устойчивости. 1
• Поддержка новых стандартов. 1 Технология GaN совместима с протоколами зарядки следующего поколения. 1

По мере того как технология GaN продолжает развиваться, ожидается, что она станет стандартом для адаптеров питания, заменяя традиционные зарядные устройства на основе кремния в различных отраслях. 1