Почему карбид кремния используется для создания высокотемпературных импульсных диодов?

Карбид кремния (SiC) используется для создания высокотемпературных импульсных диодов благодаря ряду свойств материала, среди которых:

• Высокая рабочая температура. www.icquest.ru power-e.ru Приборы на основе SiC могут работать при высоких температурах, вплоть до 600 °С. e-learning.bmstu.ru
• Радиационная стойкость. www.icquest.ru power-e.ru Это важно для создания приборов специального назначения, которые работают в жёстких условиях эксплуатации, например в оборонной и космической промышленности. www.icquest.ru
• Стабильность электрических характеристик. e-learning.bmstu.ru Электронные свойства приборов на основе SiC слабо зависят от температуры, что обеспечивает высокую надёжность изделий. power-e.ru
• Высокая теплопроводность. power-e.ru Это снижает тепловое сопротивление кристалла, что важно для силовых приборов. power-e.ru
• Малая удельное сопротивление в открытом состоянии. power-e.ru В сочетании с высокой плотностью тока и теплопроводностью это позволяет использовать очень маленькие по размерам кристаллы. power-e.ru

Благодаря этим свойствам карбид кремния считается перспективным материалом для изготовления полупроводниковых приборов. e-learning.bmstu.ru