IGBT-транзисторы стали стандартом для современных преобразователей благодаря ряду преимуществ:
- Малое падение напряжения и большая допустимая плотность в открытом состоянии. russianelectronics.ru Возможность изготовления транзисторов в миниатюрных корпусах значительно снижает их стоимость. russianelectronics.ru
- Малая мощность управления и простая схема управления за счёт МОП-структуры входного каскада. russianelectronics.ru IGBT обеспечивают более простое управление, чем приборы с токовым управлением (тиристор, биполярный транзистор) в высоковольтных и высокочастотных приложениях. russianelectronics.ru
- Широкая область надёжной работы по сравнению с биполярными транзисторами. russianelectronics.ru Кроме того, IGBT хорошо проводят ток в прямом направлении и практически не проводят в обратном. russianelectronics.ru
- Возможность работать при температуре более 100 °C. go-radio.ru
- Способность работать с напряжением более 1000 Вольт и мощностями свыше 5 киловатт. go-radio.ru
Использование в схемах преобразователей быстродействующих полностью управляемых мощных ключей на основе IGBT позволяет преобразовывать электроэнергию на высоких частотах, снизить общие потери в преобразователях, применить современные системы управления, снизить массу и габариты устройств. kit-e.ru