IGBT-транзисторы стали стандартом для современных преобразователей благодаря ряду преимуществ:

• Малое падение напряжения и большая допустимая плотность в открытом состоянии. 1 Возможность изготовления транзисторов в миниатюрных корпусах значительно снижает их стоимость. 1
• Малая мощность управления и простая схема управления за счёт МОП-структуры входного каскада. 1 IGBT обеспечивают более простое управление, чем приборы с токовым управлением (тиристор, биполярный транзистор) в высоковольтных и высокочастотных приложениях. 1
• Широкая область надёжной работы по сравнению с биполярными транзисторами. 1 Кроме того, IGBT хорошо проводят ток в прямом направлении и практически не проводят в обратном. 1
• Возможность работать при температуре более 100 °C. 3
• Способность работать с напряжением более 1000 Вольт и мощностями свыше 5 киловатт. 3

Использование в схемах преобразователей быстродействующих полностью управляемых мощных ключей на основе IGBT позволяет преобразовывать электроэнергию на высоких частотах, снизить общие потери в преобразователях, применить современные системы управления, снизить массу и габариты устройств. 5