IGBT-транзисторы используются в импульсных источниках питания высокой мощности благодаря своим способностям одновременно выдерживать высокое напряжение и большой ток. 1

Большие IGBT-модули обычно состоят из множества устройств, подключённых параллельно, и могут иметь высокую пропускную способность по току порядка сотен ампер при блокирующем напряжении 6500 В. 1 Такие транзисторы могут управлять нагрузками в сотни киловатт. 1

Кроме того, в области частот 10–20 кГц потери мощности на IGBT-транзисторах малы и не вызывают сильного нагрева, который приводит к тепловому пробою. 2

Также для коммутации больших токов, превышающих допустимое значение для одного транзистора, можно подключать модули параллельно. 2