Почему флеш-память чувствительна к электростатическому разряду?

Флеш-память чувствительна к электростатическому разряду из-за высокой степени микроминиатюризации компонентов, входящих в состав полупроводникового кристалла. libeldoc.bsuir.by www.researchgate.net

Это приводит к тому, что даже небольшие разряды статического электричества могут привести к повреждению как полупроводникового кристалла, так и программного обеспечения, встроенного во флеш-память. libeldoc.bsuir.by www.researchgate.net

Например, накопленный заряд статического электричества, равный 6,4 кВ, может привести к повреждению 94% информации, хранящейся во flash-памяти микроконтроллеров. www.researchgate.net