Почему флэш-накопители подвержены потере данных при воздействии радиации?

Флеш-накопители подвержены потере данных при воздействии радиации, потому что ионизирующее излучение, например рентгеновские лучи, выбивает электроны из атомов, создавая свободные электроны и «дырки». 1

Когда эти частицы проникают в структуру флеш-памяти, это может привести к следующим последствиям: 1

• Создание пар электрон-дырка. 1 Это может вызвать частичную утечку заряда из плавающих затворов или, наоборот, захват лишних зарядов, что потенциально изменяет порог срабатывания транзистора. 1
• Повреждение диэлектрика. 1 Со временем и при очень высоких дозах излучения может происходить деградация изолирующих слоёв диэлектрика вокруг плавающих затворов, что ускоряет утечку заряда и сокращает срок службы памяти. 1

Однако для реального стирания или критического повреждения данных требуется накопление значительной дозы излучения, которая вызывает множественные и критические изменения в миллиардах ячеек памяти. 1

Например, при облучении современными рентгеновскими сканерами багажа в аэропортах, вокзалах, на станциях метро риск повреждения или потери данных минимален из-за очень малых экспозиционных доз. 5