Биполярные транзисторы изготавливают преимущественно из арсенида галлия (GaAs) из-за его преимуществ как материала для электроники. 14

Некоторые из них:

• Высокая подвижность электронов. 15 Коэффициент подвижности в GaAs в 6 раз превышает аналогичный показатель у кремния. 5 Это позволяет создавать на основе GaAs электронные приборы чрезвычайно высокого быстродействия. 1
• Значительная ширина запрещённой зоны. 14 Позволяет расширить температурный диапазон работы электронных устройств. 1
• Возможность превращения легированного донорами или акцепторами материала в полуизолятор. 1 Это даёт возможность получать высококачественную взаимную изоляцию элементов электронных устройств без нарушения планарности структуры. 1

Однако у GaAs есть и недостатки: высокая плотность дефектов, малая механическая прочность (хрупкость), меньшая теплопроводность, а также высокая стоимость и отсутствие высококачественного собственного окисла. 1 Поэтому применение GaAs целесообразно в тех случаях, когда необходимые свойства изделий не могут быть получены при использовании кремния. 1