База биполярного транзистора должна быть тонкой для повышения скорости его работы. 1 Это связано с временем прохождения электронов от эмиттера к коллектору, которое уменьшается с уменьшением толщины базы. 1

Толщина активной базы должна быть меньше диффузионной длины неосновных носителей. 2 Только при таком условии подавляющее число инжектированных из эмиттера неосновных носителей достигнет коллекторного перехода, и потери за счёт рекомбинации сведутся к минимуму. 2

Однако если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) — соединение коллекторного перехода с эмиттерным. 5 При этом область базы исчезает, и транзистор перестаёт нормально работать. 5