Арсенид галлия считается перспективным полупроводником для высокоскоростных устройств по нескольким причинам:

• Высокая подвижность электронов. 12 Устройства на основе арсенида галлия быстро реагируют на электрические сигналы, что делает этот материал подходящим для усиления высокочастотных сигналов. 2
• Низкие шумовые характеристики. 1 Это позволяет увеличить чувствительность входных каскадов и поднять точность АЦП, в особенности в диапазоне малых сигналов. 1
• Способность выдерживать большую мощность. 1 По сравнению с кремнием, арсенид галлия может выдерживать большую мощность из-за большей напряжённости электрического поля пробоя. 1
• Устойчивость к радиационному излучению. 12 Это свойство позволяет минимизировать вероятность ошибок и поломок, сделать технику более надёжной, предсказуемой и долговечной. 1

Благодаря этим свойствам арсенид галлия используется для создания сверхвысокочастотных приборов микроэлектроники: цифровых и аналоговых интегральных схем, дискретных полевых транзисторов и диодов Ганна. 2