Арсенид галлия (GaAs) считается перспективным материалом для солнечных батарей по следующим причинам:

• Почти идеальная для однопереходных солнечных элементов ширина запрещённой зоны (1,43 эВ). 12
• Повышенная способность к поглощению солнечного излучения: требуется слой толщиной всего в несколько микрон. 12
• Высокая радиационная стойкость, что совместно с высокой эффективностью делает этот материал привлекательным для использования в космических аппаратах. 12
• Относительная нечувствительность к нагреву батарей на основе GaAs. 2
• Характеристики сплавов GaAs с алюминием, мышьяком, фосфором или индием дополняют характеристики GaAs, что расширяет возможности при проектировании солнечных элементов. 12

Главное достоинство арсенида галлия и сплавов на его основе — широкий диапазон возможностей для дизайна солнечных элементов. 2 Фотоэлемент на основе GaAs может состоять из нескольких слоёв различного состава, что позволяет разработчику с большой точностью управлять генерацией носителей заряда. 2

Основной недостаток арсенида галлия — высокая стоимость. 2