Нет однозначного ответа на вопрос, какой процент брака считается приемлемым для флеш-памяти.

Однако есть информация о том, что при производстве планарной NAND-флэш уровень брака обычно составляет 5–10%. 1 При этом для микросхем 3D V-NAND этот показатель может достигать 50%. 1

Для оценки надёжности флэш-накопителей используют коэффициент битовых ошибок (RBER) — отношение числа повреждённых битов к числу прочитанных битов. 3

Также есть мнение, что микросхемы флеш-памяти выходят из строя редко — в 1–2% аварийных случаев. 4 При этом изношенные чипы памяти с уровнем дефектов при тестировании, превышающим порог (обычно это 2–3%), однозначно требуют замены. 4