Каковы основные преимущества использования GaN HEMT в современных радиоустройствах?

Некоторые преимущества использования GaN HEMT (транзистора с высокой подвижностью электронов) в современных радиоустройствах:

• Высокая скорость переключения. dzen.ru rsjpcba.com GaN-транзисторы переключаются в 5–10 раз быстрее кремниевых аналогов. dzen.ru Это позволяет создавать высокочастотные преобразователи с частотами переключения в мегагерцовом диапазоне. dzen.ru
• Устойчивость к высокой температуре. www.lastmile.su GaN-транзисторы способны работать при температурах свыше 250 °C, тогда как кремниевые устройства обычно ограничены 150–175 °C. dzen.ru
• Радиационная стойкость. dzen.ru Транзисторы на основе нитрида галлия значительно лучше переносят воздействие космической радиации, чем кремниевые аналоги. dzen.ru Это важно для систем спутниковой связи и бортового оборудования космических аппаратов. dzen.ru
• Высокий коэффициент усиления. www.lastmile.su Это позволяет реализовать высокомощные усилители в компактном форм-факторе. www.lastmile.su
• Прочность кристалла. www.lastmile.su Приводит к лучшей в индустрии линейности и низким фазовым шумам. www.lastmile.su

GaN HEMT широко распространены в системах спутниковой связи и вещания, военных радарах, системах радионавигации, а также в системах подвижной связи. www.lastmile.su