Основные преимущества фотолитографии в микроэлектронике:

• универсальность, массовость, технологичность, возможность автоматизации; 1
• на одной подложке можно получить большое число элементов будущих приборов и микросхем, что позволяет проводить групповую обработку подложек по заранее выбранному технологическому маршруту. 1

Некоторые недостатки фотолитографии в микроэлектронике:

• Для контактной фотолитографии: быстрый износ фотошаблонов, неровность поверхности полупроводниковой пластины приводит к увеличению плотности дефектов на фотошаблоне при каждом экспонировании. 1 Кроме того, контактная литография не позволяет получать элементы размером менее 1 мкм и имеет общую низкую воспроизводимость рисунка по полю пластины из-за кривизны её поверхности. 1
• Для проекционной фотолитографии: противоречие между разрешением и глубиной резкости оптической системы, из-за чего невозможно одновременно создавать изображение высокого качества в нескольких плоскостях. 3
• Для голографической фотолитографии: чувствительность изображения к локальным дефектам на 9–10 порядков меньше, чем у обычной проекционной. 3 В результате упрощается топология голограммных масок, существенно снижаются требования к технологии использования и хранения масок, сокращаются дорогостоящие регулярный контроль и ремонт масок. 3