Некоторые технологии производства, которые позволили создавать современные чипы с рекордным количеством транзисторов:

• Применение кремний-германиевого сплава в производстве чипов, разработанных компанией IBM. 2 Этот материал обеспечил повышение скорости работы транзисторов и снижение энергопотребления. 2 Технология позволяла размещать на одном чипе до 20 миллиардов транзисторов. 2
• Использование 14-нм техпроцесса при создании программируемой вентильной матрицы Intel Stratix 10 GX 10M, которая включала 43,3 миллиарда транзисторов. 5
• Использование 2-нм техпроцесса. 4 В мае 2021 года IBM заявила о создании первого 2-нм чипа. 4 Летом 2024 года TSMC запустила тестовое производство 2-нм чипов, массовый выпуск запланирован на 2026 год. 4 Центральное место в 2-нм техпроцессе занимает технология транзисторов с круговым затвором (GAA, gate-all-around). 4

В 2023 году Intel планировала использовать для создания чипа с рекордным количеством транзисторов (триллионом) передовые технологии упаковки чипов и гетерогенную интеграцию, а также технологию RibbonFET для сокращения утечки тока и технологию PowerVIA Power Delivery для улучшения производительности чипа. 1