Примеры ответов Нейро на вопросы из разных сфер
Главная / Технологии / Какие технологии производства позволили создавать современные чипы с рекордным количеством…
Вопрос для Нейро
21 марта

Какие технологии производства позволили создавать современные чипы с рекордным количеством транзисторов?

Нейро
На основе 5 источников

Некоторые технологии производства, которые позволили создавать современные чипы с рекордным количеством транзисторов:

  • Применение кремний-германиевого сплава в производстве чипов, разработанных компанией IBM. www.techinsider.ru Этот материал обеспечил повышение скорости работы транзисторов и снижение энергопотребления. www.techinsider.ru Технология позволяла размещать на одном чипе до 20 миллиардов транзисторов. www.techinsider.ru
  • Использование 14-нм техпроцесса при создании программируемой вентильной матрицы Intel Stratix 10 GX 10M, которая включала 43,3 миллиарда транзисторов. 4pda.to
  • Использование 2-нм техпроцесса. ru.wikipedia.org В мае 2021 года IBM заявила о создании первого 2-нм чипа. ru.wikipedia.org Летом 2024 года TSMC запустила тестовое производство 2-нм чипов, массовый выпуск запланирован на 2026 год. ru.wikipedia.org Центральное место в 2-нм техпроцессе занимает технология транзисторов с круговым затвором (GAA, gate-all-around). ru.wikipedia.org

В 2023 году Intel планировала использовать для создания чипа с рекордным количеством транзисторов (триллионом) передовые технологии упаковки чипов и гетерогенную интеграцию, а также технологию RibbonFET для сокращения утечки тока и технологию PowerVIA Power Delivery для улучшения производительности чипа. www.ferra.ru

0
Ответ сформирован YandexGPT на основе текстов выбранных сайтов. В нём могут быть неточности.
Примеры полезных ответов Нейро на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Нейро.
Задать новый вопрос
Задайте вопрос...
…и сразу получите ответ в Поиске с Нейро
Войдите, чтобы поставить лайк
С Яндекс ID это займёт пару секунд
Войти
Sun Jul 06 2025 19:00:58 GMT+0300 (Moscow Standard Time)