Некоторые технологии, которые применяются для формирования p-n-переходов в современной полупроводниковой промышленности:

• Вплавление примесей. 12 Монокристалл нагревают до температуры плавления примеси, после чего часть кристалла растворяется в расплаве примеси. 12 При охлаждении происходит рекристаллизация монокристалла с материалом примеси. 1 Такой переход называется сплавным. 1
• Диффузия примесей. 12 В основе технологии получения диффузионного перехода лежит метод фотолитографии. 12 На поверхность кристалла наносят фоторезист — фоточувствительное вещество, которое полимеризуется засвечиванием. 12 Неполимеризованные области смывают, производят травление плёнки диоксида кремния, и в образовавшиеся окна производят диффузию примеси в пластину кремния. 1 Такой переход называется планарным. 1
• Эпитаксиальное наращивание. 12 Сущность технологии в разложении некоторых химических соединений с примесью легирующих веществ на кристалле. 12 При этом образуется поверхностный слой, структура которого становится продолжением структуры исходного проводника. 12 Такой переход называется эпитаксиальным. 1
• Метод ионного внедрения (ионной имплантации). 4 При этом методе энергия, необходимая для проникновения примеси вглубь кристалла, сообщается электрическим полем с напряжением. 4
• Выращивание монокристалла из расплава. 3 Плавные p-n-переходы можно получать при выращивании монокристалла из расплава, в котором постепенно изменяют содержание и характер примесей. 3