Какие технологии используются для снижения паразитной емкости в современных TVS-диодах?

Некоторые технологии, которые используются для снижения паразитной ёмкости в современных TVS-диодах:

• Траншейная (trench). www.compel.ru Чипы, выполненные по этой технологии, обладают очень малой ёмкостью (0,3–3 пФ). www.compel.ru Это делает их хорошим вариантом для высокочастотных цепей. www.compel.ru
• SCR. www.compel.ru Отличается очень низким уровнем напряжения фиксации и сверхнизкой паразитной ёмкостью (0,07–0,18 пФ). www.compel.ru
• GGNMOS. www.compel.ru В компонентах, выполненных по этой технологии, напряжение фиксации снижается за счёт использования небольшой обратной развёртки. www.compel.ru

Также для снижения паразитной ёмкости в TVS-диодах применяется низкоёмкостное шунтирование и низкоёмкостной мост. trt.ru В первом случае емкостные элементы соединены последовательно (в качестве ёмкостных элементов выступают компенсационный и защитный диод). trt.ru Во втором — мостовые выпрямители работают на уменьшение эффективной ёмкостной нагрузки и направляют входящий переходный ток через TVS-диод. trt.ru