Для производства тонкоплёночных резисторов используются следующие технологии:

• Напыление (магнетронное, ионно-плазменное, вакуумно-термическое). 1 Также применяется осаждение металла из газовой фазы. 1
• Двойная (селективная) фотолитография. 2 После первой фотолитографии и травления структуры получают проводники и контактные площадки. 2 При второй фотолитографии фоторезистом покрывают все проводники и площадки, за исключением площадок перекрытия резисторов с проводниками, и формируемые резисторы. 2 Затем травлением резистивного слоя формируют тонкоплёночные резисторы. 2
• Вакуумное нанесение на диэлектрическую подложку слоя резистивного материала и его локальное окисление. 3 Химически чистую подложку нагревают в вакууме до 140 °С, напыляют на неё через маску технологические шины и контактные площадки. 3 Затем через другую маску наносят слои резистивного материала и напыляют технологические перемычки. 3 После этого наращивают окисную плёнку на резистивных слоях анодированием в кислородной плазме тлеющего разряда. 3 Затем снимают формовочный потенциал, гасят газовую плазму, вакуумируют камеру и наносят защитный слой моноокиси кремния. 3